Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.advisor | 김희준 | - |
dc.contributor.author | 이동현 | - |
dc.date.accessioned | 2020-02-12T16:38:50Z | - |
dc.date.available | 2020-02-12T16:38:50Z | - |
dc.date.issued | 2017-02 | - |
dc.identifier.uri | https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/124097 | - |
dc.identifier.uri | http://hanyang.dcollection.net/common/orgView/200000430568 | en_US |
dc.description.abstract | 본 논문은 캐스코드 GaN HEMT를 적용한 LLC 공진형 컨버터에 관한 연구이다. GaN HEMT는 도통손실에 영향을 주는 온 저항 RDS(on)과 스위칭 속도에 영향을 주는 총 게이트 전하량 Qg가 기존의 Si MOSFET에 비해 매우 낮은 특성을 보임으로써 이를 DC-DC컨버터에 적용할 경우, 고효율과 고주파 스위칭 동작을 기대할 수 있다. 이러한 특성을 갖는 새로운 전력 반도체 소자인 캐스코드 GaN HEMT를 적용하여 최대 스위칭 주파수 600kHz, 정격 입력전압 390V, 정격 출력전력 300W(27V/11.1A)의 LLC 공진형 컨버터를 설계 및 제작하였으며, 기존의 Si MOSFET를 적용한 LLC컨버터와 비교하여 실험을 진행하였다. 그 결과 본 논문에서 제시한 LLC 공진형 컨버터의 정상동작을 확인하였으며, 최대 효율로서 94.95%의 효율을 얻어 기존의 Si MOSFET를 적용한 LLC컨버터 보다 2%의 효율 개선을 이룸으로써 GaN HEMT의 우수성을 입증하였다. | - |
dc.publisher | 한양대학교 | - |
dc.title | 캐스코드 GaN HEMT를 적용한 LLC 공진형 컨버터에 관한 연구 | - |
dc.title.alternative | A Study on the LLC resonant converter using Cascode GaN HEMT | - |
dc.type | Theses | - |
dc.contributor.googleauthor | 이동현 | - |
dc.sector.campus | S | - |
dc.sector.daehak | 대학원 | - |
dc.sector.department | 전자시스템공학과 | - |
dc.description.degree | Master | - |
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