IGZTO 물질을 사용하여 Good Reliability의 특성 확보를 위한 연구

Abstract

본 연구는 우수한 바이어스 안정성을 갖춘 고성능 a-IGZTO Thin film Transistors (TFTs)의 제조를 제안하였다. 비교를 통해, IGZTO TFT의 우수한 성능의 근원을 명확히 하기 위해서 a-IGZO TFT도 함께 조사하였다. IGZTO 시스템에 In 및 Sn을 동시에 대량으로 로딩하면 효과적인 대량 치밀화가 촉진되어 tail states 및 deep states가 감소되는 것으로 밝혀졌다. 제조된 a-IGZTO TFT는 45.8 cm2/Vs 의 높은 전자 이동도 (mFE ), 0.15 V / decade의 낮은 서브 임계 값 게이트 스윙 (SS) 및 ION/OFF 비율은 > 1 ´ 108 이상을 나타내었다. 게다가 IGZTO TFT는 IGZO TFT와 비교하여 뛰어난 Gate Bias Stress 안정성이 관찰되었다. 이러한 흥미로운 결과에 대한 물리적 이론적 근거는 IGZO 매트릭스에 Sn 로딩으로 인해 향상된 percolation path 형성 및 효율적인 질량 치밀화에 기인한다고 할 수 있다. 따라서 4차 IGZTO 시스템은 고급 모바일 액티브 매트릭스 디스플레이를 위한 대안 백플레인으로 사용할 수 있다.