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dc.contributor.author최재훈-
dc.date.accessioned2019-11-30T07:21:36Z-
dc.date.available2019-11-30T07:21:36Z-
dc.date.issued2017-09-
dc.identifier.citation한국전자파학회 논문지, v. 28, no. 9, page. 749-755en_US
dc.identifier.issn1226-3133-
dc.identifier.issn2288-226X-
dc.identifier.urihttp://koreascience.or.kr/article/JAKO201730475989141.page-
dc.identifier.urihttps://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/115446-
dc.description.abstract본 논문에서는 X-대역(8~12 GHz) 응용을 위한 광대역 전파 흡수체를 제안하였다. 제안된 흡수체 unit cell 구조는 슬롯과 슬릿을 포함하는 공진기, 뒷면의 도체판, 8.5×8.5×0.5 mm3의 크기를 갖는 Taconic RF-30(εr=3, tanδ=0.0014) 기판으로 이루어져 있다. 제안된 흡수체는 9.83 GHz와 10.37 GHz에서 공진이 발생하는 이중 공진 특성을 갖는다. 제안된 흡수체 구조의 동작 원리를 검증하기 위하여 각각의 공진주파수에서 unit cell 구조의 표면 전류 분포를 분석하였다. 제안된흡수체의 성능을 확인하기 위하여 20×20개의 unit cell 배열 시제품을 제작하였다. 측정 결과, 최대 흡수율을 갖는 지점에서 모두 99 % 이상의 흡수율이 측정되었으며, 측정된 full-width at half-maximum(FWHM) 대역폭은 1.1 GHz(9.51~10.61 GHz)이다.In this paper, a wideband microwave absorber for X-band(8~12 GHz) applications is proposed. The structure of the proposed absorber unit cell consists of a resonator with a slot and slit, a backing ground plate, and a Taconic RF-30(εr=3, tanδ=0.0014) substrate with a dimension of 8.5×8.5×0.5 mm3. The proposed absorber has a dual resonance at 9.83 and 10.37 GHz. To demonstrate the operating principle of the proposed absorber structure at each resonance frequency, the simulated current distributions on the unit cell are analyzed.To verify the performance of the proposed absorber, a prototype absorber was fabricated with a planar array of 20×20 unit cells. The measured results exhibit two absorptivity peaks stronger than 99 % and full-width at half-maximum(FWHM) bandwidth of 1.1 GHz(9.51~ 10.61 GHz).en_US
dc.description.sponsorship「이 연구는 방위사업청 및 국방과학연구소의 재원에 의해 설립된 신호정보 특화연구센터 사업의 지원을 받아 수행되었음.」en_US
dc.language.isoko_KRen_US
dc.publisher한국전자파학회en_US
dc.subjectMicrowave Absorberen_US
dc.subjectWidebanden_US
dc.subjectDual Resonanceen_US
dc.titleX-대역 응용을 위한 광대역 전파 흡수체 설계en_US
dc.title.alternativeDesign of the Wideband Microwave Absorber for X-band Applicationsen_US
dc.typeArticleen_US
dc.relation.no9-
dc.relation.volume28-
dc.identifier.doi10.5515/KJKIEES.2017.28.9.749-
dc.relation.page749-755-
dc.relation.journal한국전자파학회 논문지-
dc.contributor.googleauthor홍영택-
dc.contributor.googleauthor정구호-
dc.contributor.googleauthor최재훈-
dc.contributor.googleauthorHong, Young-Taek-
dc.contributor.googleauthorJeoung, Gu-Ho-
dc.contributor.googleauthorChoi, Jaehoon-
dc.relation.code2017019091-
dc.sector.campusS-
dc.sector.daehakCOLLEGE OF ENGINEERING[S]-
dc.sector.departmentDEPARTMENT OF ELECTRONIC ENGINEERING-
dc.identifier.pidchoijh-
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COLLEGE OF ENGINEERING[S](공과대학) > ELECTRONIC ENGINEERING(융합전자공학부) > Articles
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