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MLC 낸드 플래시 메모리의 LSB 페이지 NOP 기법과 성능 검증

Title
MLC 낸드 플래시 메모리의 LSB 페이지 NOP 기법과 성능 검증
Other Titles
Performance validation for applying NOP scheme in LSB page of MLC nand flash memory
Author
송용호
Issue Date
2012-02
Publisher
한국통신학회
Citation
한국통신학회 학술대회 논문집, 2012, P.459-460
Abstract
본 논문은 MLC 낸드 플래시 메모리의 내구성을 향상시키기 위해, 효과적으로 블록 소거 연산 횟수를 감소시킬 수 있는 LSB 페이지 NOP 기법을 제안한다. 제안하는 기법은 물리적으로 동일한 주소의 LSB 페이지에 데이터를 업데이트 하는 경우, 블록소거 연산 없이 연속된 쓰기 연산이 가능하도록 지원한다. 제안하는 기법을 통한 MLC 낸드 플래시의 내구성과 성능 변화를 확인하기 위해, P/E-cycle 증가에 따른 bit error rates 및 쓰기 연산 시간을 측정하였다. 실험 결과를 통해서 LSB 페이지 NOP 기법의 효용성을 검증하고 구현 가능성을 확인하였다.
URI
http://www.dbpia.co.kr/Journal/ArticleDetail/NODE02039286https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/71278
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