3D 낸드플래시 메모리 구조의 특허동향에 관한 연구

Abstract

우리는 지금 제4차 산업혁명 시대 속에 살고 있다. 인공지능, 사물인터넷 등 첨단 정보통신기술이 얽히고설켜 모든 것을 연결하는 ‘초연결 사회’를 만들어 산업에 새로운 혁명을 일으킬 것이라고 하는 제4차 산업혁명의 흐름은 현재 진행형이며, 글로벌 기업을 필두로 하는 선진국은 물론 개발도상국까지 미래의 산업혁명에 대한 주도권을 잡기 위한 기술경쟁 또한 치열하다. 한편, 제4차 산업혁명의 대표주자로 손꼽히는 인공지능, 사물인터넷, 로봇 등의 산업 분야에서 고집적화 및 초소형화, 안정성 등과 관련한 반도체 기술이 미치는 영향력과 그 적용 분야는 날로 증대되어 가고 있다. 이를 대변하듯, 현재 글로벌 낸드플래시 메모리 시장은 유례없는 장기 초호황기를 맞아 가파른 성장세를 보여주고 있다. 이러한 성장 흐름을 주도하고 있는 기술이 바로 낸드플래시 메모리의 ‘구조 혁신’이라 불리는 3차원 수직구조의 낸드플래시 메모리에 관한 기술로서, 2013년 8월 삼성전자가 세계 최초로 3D 낸드플래시 메모리 양산에 성공한 데 이어 현재까지 도시바, 마이크론, 인텔, 웨스턴디지털, 샌디스크 등의 후발 업체들이 줄줄이 3D 낸드플래시 메모리 사업에 뛰어들고 있다. 이에 따라 본 연구에서는 ‘3D 낸드플래시 메모리’에 대한 특허출원 동향을 파악·분석함으로써 전 세계의 기술동향과 그 방향성에 대해 고찰하고자 한다. 특히, 3D 낸드플래시 메모리의 구조에 관한 특허기술을 연도, 국가, 출원인 등 카테고리 별로 분석하고 각국의 주요 출원인들의 3D 플래시 메모리에 대한 기술상의 특징과 장·단점, 기술전략 등에 대해 살펴본다. 또한, 이와 함께 3D 낸드플래시 메모리 연구의 한계점을 분석하고, 이에 대응한 낸드플래시 메모리의 연구개발 방향 및 미래 전략을 모색하고자 한다.