775 0

PVT법으로 성장시킨 bulk AlN 단결정의 가공 및 특성평가

Title
PVT법으로 성장시킨 bulk AlN 단결정의 가공 및 특성평가
Other Titles
Characterization of the bulk AlN single crystal grown by PVT method
Author
이정훈
Advisor(s)
심광보
Issue Date
2018-02
Publisher
한양대학교
Degree
Master
Abstract
최근 관심이 높아지고 있는 GaN, SiC 단결정과 함께 자외선 LED 및 전력 반도체용 기판 소재로서 응용성이 매우 높은 AlN 단결정 소자에 대한 연구개발이 활발히 진행되고 있다. 특히 AlN 단결정 기판을 UV-LED (ultra violet light emitting diode)에 응용 시 고효율, 고출력화가 기대되며 불순물, 결함 등이 적게 발생하여 기존에 기판소재로 사용되는 사파이어가 가진 여러 단점들을 극복할 수 있는 소재로 각광받고 있다. 그러나 고품질의 AlN 박막을 성장시킬 때 필요한 AlN 단결정 기판의 성장이 어려울 뿐만 아니라 결정성 향상 등의 문제를 가지고 있어 이를 활용한 광전소자 및 전력소자 등의 개발이 지연되어 왔다. 본 연구에서는 PVT (physical vapor transport) 법을 사용하여 bulk AlN 단결정을 성장하였고 결정성의 평가 및 향상, 표면 가공을 진행하였다. 성장된 bulk AlN 단결정은 Laue X-선 회절 패턴으로 성장 방향을 확인하였고, 화학적 습식 에칭법 (wet chemical etching)을 사용하여 에칭 후 주사전자현미경 (SEM)으로 표면 특성을 알아보았다. AlN 단결정의 결정성 향상을 위해 고온 annealing 공정을 실시하였고 DC-XRD (double crystal X-ray diffraction)를 이용하여 FWHM을 측정하였다. 또한, Diamond slurry와 SiO2 slurry를 사용한 polishing 공정을 진행하였고 광학현미경 (optical microscopy)과 원자간력 현미경 (atomic force microscope)을 이용해 가공 결과 및 메커니즘을 분석하였다.
URI
https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/68235http://hanyang.dcollection.net/common/orgView/200000432155
Appears in Collections:
GRADUATE SCHOOL[S](대학원) > MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING(신소재공학과) > Theses (Master)
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Export
RIS (EndNote)
XLS (Excel)
XML


qrcode

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

BROWSE