| 2020-08 | SeTeZn Chalcogenide Materials-based Threshold Switching Characteristics | 박미현 |
| 2008-08 | 원자 힘 현미경 리소그래피를 이용한 금속 나노구조물 제작에 관한 연구 | 고경근 |
| 2008-08 | 산화 아연 트랜지스터의 제작과 특성 평가 | 황윤선 |
| 2008-08 | 고성능 C-MOSFET 소자 구현을 위한 SGOI 공정 개발 방법 중 Condensation mechanism에 관한 연구 | 이헌주 |
| 2009-02 | 정공 수송 물질 첨가에 의한 TIPS-pentacene 유기 박막 트랜지스터의 전기적 특성 연구 | 임현석 |
| 2009-02 | 광산발생제를 포함하는 아크릴 레지스트의 전자빔 리소그래피 | 김상현 |
| 2009-02 | 저밀도 탄소나노튜브 네트워크 박막트랜지스터 제작 및 특성 연구 | 최원일 |
| 2009-02 | Au nanocrystal 분산을 통한 고분자 비휘발성 메모리의 구현에 관한 연구 | 승현민 |
| 2009-08 | A study on the electrical properties and mechanisms of the non-volatile memory device fabricated utilizing fullerenes embedded in a polymethyl methacrylate layer | 조성환 |
| 2010-02 | 플라즈마 화학기상증착법으로 제작된 네트워크 탄소나노튜브 트렌지스터의 subthreshold 특성 분석 | 정승근 |
| 2010-02 | 디자인 룰 50나노 이하의 메모리 소자 제조 공정 중 구리 화학기계적 연마 공정에서 유기산화제가 연마율 및 평탄도에 미치는 영향 | 최윤순 |
| 2010-02 | Through Silicon Via 3D SiP에서 Sn-Ag capping 층을 이용한 칩과 칩 접합 | 이진수 |
| 2010-02 | Refilled mask structure for minimizing shadowing effect on EUV Lithography | 신현덕 |
| 2010-02 | Metal nanocrystal 특성에 따른 저분자 유기 비휘발성 메모리 특성 연구 | 이상이 |
| 2010-02 | CMOS Image Sensor 용 저전력 인터페이스 회로 설계 | 황진하 |
| 2010-02 | A study on the charge trap distribution characteristics in nitride and the retention characteristics of TaN-Al2O3-SiN-SiO2-Si memory structures | 김현우 |
| 2010-02 | 1D1R 폴리머 메모리의 주변 회로 설계 | 안창용 |
| 2011-02 | 휴대폰 카메라의 Rolling shutter distortion 를 수정한 새로운 손떨림 방지 알고리즘 | 고인성 |
| 2011-02 | 플라즈마 공정 장비에서의 변압기를 이용한 전력변환 효율 개선 연구 | 이영호 |
| 2011-02 | 폴리실리콘 트랩이 3차원 SONOS 메모리의 누설전류에 미치는 영향 | 오슬기 |
