ICP-RIE의 공정최적화를 통한 Dry Etching 특성개선에 관한 연구

Abstract

반도체 제조공정에서 초 미세 패턴공정과 MEMS Device 공정에 수반되는 High Aspect Ratio Patterning을 구현하기 위하여서는 일차적으로 초고성능의 Photo Lithography 공정기술과 설비가 필요하고, Photo공정에서 구현된 Pattern을 소자로 만들기 위한 후속공정은 Etching 공정이 핵심이라 할 수 있다. 그러나 선폭의 지속적인 초미세화와 더불어 그에 따른 Photo공정에서 정밀한 노광에 필요한 요소이면서Etching Mask로 쓰이는 PR과 SiO2 Hard MAsk의 두께 조절이 또한 필수적이다. 즉 정밀한 노광과Pattern 형성을 위해서 더 이상 수백nm 또는um단위의 PR이나 SiO2 Hard Mask는 사용할 수 없고 갈수록 얇아진 PR과 SiO2를 사용해야 하는 상황이 되었다. 본 연구에서는 ICP-RIE의 여러가지 조건을 개선하여 Dry Etching시 발생 하는 에칭 선택비 부족에 따른 공정의 한계와 불합리성을 개선하고 한편으로 는 SOI Wafer에서 발생하는 Notch의 개선조건을 제시함으로써 반도체공정과 MEMS 공정에서 미세패턴의 공정개선과 공정수율 최적화에 기여하고자 한다.