Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.advisor | 정재경 | - |
dc.contributor.author | 최윤지 | - |
dc.date.accessioned | 2022-09-27T16:02:37Z | - |
dc.date.available | 2022-09-27T16:02:37Z | - |
dc.date.issued | 2022. 8 | - |
dc.identifier.uri | http://hanyang.dcollection.net/common/orgView/200000629858 | en_US |
dc.identifier.uri | https://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/174188 | - |
dc.description.abstract | 본 논문은 bottom gate 구조를 가지는 Indium Gallium Oxide (IGO) Thin-Film Transistors (TFTs) 소자를 Polyethylene Naphthalate (PEN)기판 위에 제작하고, Tantalum (Ta) 산소흡수층을 이용하여 150℃의 저온공정으로 소자 성능을 향상시키기 위한 연구를 진행하였다. 기존 Ta 금속 촉매층을 이용한 산화물 반도체 기반의 TFTs는 250℃ 이상의 공정 온도에서 Ta 금속 촉매층을 증착 후 후속 열처리를 통해 반도체를 결정화 시키는 방법으로 소자의 이동도를 향상시켰다. [1-3] 하지만 저가의 유연한 기판에 적용하기에 250℃이상의 공정 온도는 적합하지 않으며, 대면적 디스플레이에 적용을 위해서는 비정질 상의 채널층이 더 유리하다. 따라서 In 조성을 높인 IGO 산화물을 이용하고 Ta 산소흡수층을 증착 후 후속 열처리를 통하여 150℃의 저온에서 이동도를 향상시켜서, 이동도 29.4 cm2/Vs, VTH = -0.86 V의 특성을 가지는 소자를 PEN 기판 위에 제작하고 소자의 전기적 화학적 분석을 진행하였다. 또한, 소자의 기계적 내구성을 시험하기 위하여 10000회의 sliding test를 통하여 PEN 기판 위의 Ta/IGO TFTs의 신뢰성 분석을 진행하고 우수한 전기적 특성 및 신뢰성을 가지는 것을 확인하였다. 150℃의 저온공정으로 Ta 산소흡수층을 이용하여 PEN 기판 위에 비정질 IGO TFTs 소자 연구를 통하여 대면적 플렉시블 디스플레이에 적용 가능성을 확인하였다. | - |
dc.publisher | 한양대학교 | - |
dc.title | 유연 소자용 산소 흡수층을 이용한 저온공정 산화물 박막 트랜지스터 연구 | - |
dc.title.alternative | Improvement of Indium Gallium Oxide Transistors at a Low Temperature Using Oxygen Absorbent Layer for Flexible Devices | - |
dc.type | Theses | - |
dc.contributor.googleauthor | 최윤지 | - |
dc.contributor.alternativeauthor | CHOI YOONJI | - |
dc.sector.campus | S | - |
dc.sector.daehak | 대학원 | - |
dc.sector.department | 정보디스플레이공학과 | - |
dc.description.degree | Master | - |
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