낸드 플래시 메모리 주변회로 설계

Abstract

논문은 기존의 MLC(Multi Level Cell) NAND Flash Memory 동작을 위한 아날로그 주변회로에서 가지고 있는 문제점을 지적하고 개선점, 해결책을 제시하고 시뮬레이션을 통해 검증하였다. 기존의 고전압 생성기를 소개하고, 제안된 MLC용 고전압 생성기 회로설계 기법, 음의 고전압 생성기 회로 설계 기법, 리플전압 줄이는 기법에 대한 방법을 제안하고 시뮬레이션을 통해 검증하였다. 읽기동작을 위한 주변회로에 대한 설명을 하였다. ION, Iref를 전압으로 변환하고 이를 비교하여 정보를 센싱하는 회로를 소개하고 시뮬레이션 결과를 확인한다. 소개되어진 SIHCI(Substrate Induced Hot Carrier Injection) 동작원리에 맞게 주변회로의 구성 및 세부 회로를 제안하고 시뮬레이션을 통해 동작 검증하였다. 또한 제안된 동작원리에 맞게 타이밍도를 제안하여 플래시메모리를 전체동작을 위한 제어 신호 제어에 의한 쓰기와 지우기 동작 시뮬레이션 결과를 확인하였다. 0.18um Flash Memory Technology, CADENCE, HSPICE를 이용하여 모의 시뮬레이션 하였다.