레지스트 패턴의 가장자리 거칠기에 산 확산효과를 고려한 몬테카를로 시뮬레이션

Abstract

EUV 리소그래피는 짧은 파장의 극자외선을 사용함으로써 더 작은 패턴의 구현이 가능해졌다. 더 작아진 패턴으로 인한 가장자리 거칠기 (LER)와 위치에 따른 패턴 거칠기(LWR) 역시도 함께 작아져야 한다. 더 작은 거칠기를 위해서 레지스트 성능 향상을 위한 연구가 필요하다. 기존의 많은 연구에서는 노광 후 굽기 공정에서 산의 확산을 분자간의 상호작용을 고려하지 않은 Gaussian 분포를 사용하여 몬테카를로 시뮬레이션 하였다. 레지스트 구성에 따른 분자간의 상호작용을 고려한 연구가 필요하다. 그래서 이번 연구에서는 산 확산 과정에서 산이 상호작용으로 인해 확산운동에 영향을 주어 확률분포가 달라진다는 가정하에 몬테카를로 시뮬레이션 하였다. 산이 정상확산보다 더 많이 확산이 되면 초확산으로 Lorentzian 분포를 사용하였고, 덜 확산 되는 경우 저확산으로 quadratic 분포를 사용하였다. 산 확산의 성질의 변화에 따라 반도체 패턴의 거칠기가 어떻게 변하는지 알아보았다.