반응성 이온 식각(RIE) 시에 발생하는 부산물과 플라즈마 데미지 제거에 따른 다결정 실리콘 태양전지의 효율향상연구

Abstract

표면조직화 공정은 웨이퍼의 표면 반사도를 낮추어 광흡수율을 향상시킴으로써 결정질 실리콘 태양전지의 효율향상에 기여하는 공정 중 하나이다. 결정질 실리콘 웨이퍼 중에서도 다결정 실리콘 웨이퍼의 표면조직화 공정은 결정방향이 다양하게 존재하는 특성으로 이방성 식각이 아닌 등방성 식각이 효과적이다. 특히, 표면조직화 공정으로 RIE 기술을 적용하여 다결정 실리콘 웨이퍼의 반사도를 효과적으로 낮추어 광변환효율 특성을 개선할 수 있다. 하지만 rie 공정 중에 발생하는 플라즈마 데미지와 부산물에 의해 패시베이션 특성이 저하되는 문제가 발생한다. 본 논문에서는 표면 처리 조건에 따른 다결정 실리콘 태양전지의 패시베이션 특성을 연구하였다.