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단결정과 다결정 GaN Nanowire의 저주파 노이즈 특성

Title
단결정과 다결정 GaN Nanowire의 저주파 노이즈 특성
Other Titles
Low Frequency Noise Characteristics of Single-and Poly Crystalline GaN Nanowire
Author
정희준
Issue Date
2008-12
Publisher
한양대학교 이학기술연구소
Citation
이학기술연구지, v. 12, Page. 3-7
Abstract
Nanowire 구조에서 noise는 전기적인 소자에 대한 응용에 있어서 해결해야할 중요한 문제이다. 그렇기 때문에 본 연구에서는 단결정과 다결정 구조의 GaN nanowire를 이용한 전계효과 트랜지스터를 각각 제작하여 GaN nanowire의 저주파 noise 특성을 분석하였다. 저주파에서는 1/f noise와 Generation-recombination (G-R) noise를 확인 할 수 있었으며, 1/fα noise 기울기 α 값의 분석을 통하여, 1/f noise의 기울기가 1.8 - 2.1 까지 drain 전압에 따라 증가하는 경향이 있음을 알게 되었으며, 또한 단결정 GaN nanowire는 다결정에 비하여 저주파에서 noise fluctuation이 발생하는 것이 관찰되었다.
URI
https://www.earticle.net/Article/A106278http://repository.hanyang.ac.kr/handle/20.500.11754/105190
ISSN
2005-9051
Appears in Collections:
COLLEGE OF SCIENCE AND CONVERGENCE TECHNOLOGY[E](과학기술융합대학) > APPLIED PHYSICS(응용물리학과) > Articles
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